تراشه EEPROM
تراشه EEPROM (حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی با قابلیت پاک شدن الکتریکی) یک رام قابل تغییر توسط کاربر است. می توان آن را با اعمال یک ولتاژ الکتریکی بالاتر از حد معمول، به طور مکرر پاک و دوباره برنامه ریزی کرد (نوشتن).
تراشه EEPROM چیست؟
تراشه EEPROM نوعی رام غیر فرار است که بایت های جداگانه داده را قادر می سازد پاک شده و دوباره برنامه ریزی شود. به همین دلیل است که تراشه‌های EEPROM به تراشه‌های پاک‌شونده بایتی معروف هستند. EEPROM معمولاً برای ذخیره مقادیر کمی داده در محاسبات و سایر دستگاه های الکترونیکی استفاده می شود.
تراشه EEPROM که در اواخر دهه 1970 و اوایل دهه 1980 توسط محققان Hughes Aircraft و Intel توسعه یافت، به عنوان جایگزینی برای حافظه EPROM (حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی قابل پاک کردن) و حافظه PROM (حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی) استفاده شد. قبل از استفاده از EEPROM، فناوری EPROM به طور گسترده مورد استفاده قرار می گرفت. تراشه های حافظه EPROM در صورت قرار گرفتن در معرض نور ماوراء بنفش می توانند برنامه ریزی شده و سپس پاک شوند. با این حال، تراشه ها را نمی توان به صورت الکتریکی پاک کرد. و فرآیند پاک کردن برای EPROM بیش از یک ساعت طول کشید، که برای محیط‌های توسعه آن زمان قابل قبول بود، اما انعطاف‌پذیری کمی برای محیط‌های با سرعت بالاتر در آینده باقی گذاشت.
فناوری EEPROM برای مقابله با این چالش ها تکامل یافته است. بر اساس ساختار EPROM موجود، EEPROM را می توان به صورت الکتریکی پاک و برنامه ریزی کرد. بیشتر تراشه های EEPROM دارای طول عمر 10000 تا 100000 چرخه نوشتن هستند که به طور قابل توجهی بیشتر از چرخه نوشتن تراشه های EPROM است.
ترانزیستورهای EEPROM
در EEPROM، گیت شناور یا ترانزیستورهای ذخیره‌سازی بار را نگه می‌دارند در حالی که از ترانزیستور فلز-اکسید-سیلیکون (MOS) برای پاک کردن شارژ استفاده می‌شود. ترانزیستورهای دروازه شناور (FGTs) سلول های بیتی مکمل مبتنی بر MOS هستند. هنگامی که هیچ شارژی در دروازه شناور وجود ندارد، یک پالس در گیت کنترل باعث جریان جریان می شود. در این مرحله ترانزیستور به طور معمول عمل می کند.
هنگامی که گیت شارژ می شود، عملکرد گیت کنترل را مسدود یا مانع می شود و جریان از جریان می افتد. برای شارژ، پایانه های منبع و تخلیه باید به زمین متصل شوند و ولتاژ کافی روی تونل گیت کنترل از طریق اکسید به دروازه شناور وارد شود.